Současný stav a trend vývoje LED technologie

Domů > Blog o LED osvětlení > Odborné > Současný stav a trend vývoje LED technologie

Po několika letech rychlého technologického vývoje, kdy byla oblast světelných diod poměrně nepřehledná, se začala v průběhu posledního roku stávat čitelnější. Pravděpodobně hlavními důvody této lze změny je jednak postupně přijímaná standardizace a také zavedením světelných diod 1 W (350 mA) do nabídky většiny hlavních výrobců LED.

Zdá se, že právě tento typ LED bude, alespoň v počáteční fázi aplikace světelných diod v praxi, hrát klíčovou roli.

 

Měrný výkon LED významně roste každý rok a v loňském roce přesáhl hranici 100 lm/W (viz tabulka). O rychlosti vývoje LED vypovídá porovnání odhadů měrných výkonů. Zatímco v roce 2004 se předpokládalo, že v roce 2012 bude dosaženo u sériově vyráběných LED měrného výkonu okolo 150 lm/W, dnes lze očekávat dosažení této hranice již v tomto roce a v roce 2012 by se měl měrný výkon přiblížit k hranici 200 lm/W. Jedním z dokladů tohoto trendu je zpráva firmy Cree z prosince loňského roku o dosažení měrného výkonu 186 lm/W (1W, 350mA, 4577K) v laboratorních podmínkách. Kapacitu možností v LED technologii pak dokumentuje zpráva firmy Nichia v ledna loňského roku o dosažení měrného výkonu 249 lm/W (20mA) v laboratorních podmínkách. Velice podrobný popis vývoje technologie LED v průběhu loňského roku je uveden stránkách časopisu Mondoarc. Popis budoucího vývoje je pak zpracován na stránkách Americké ministerstva energetiky DOE.

 

Tab. Parametry vybraných sériově vyráběných typů LED 1 W (350 mA)

*) PD je elektrický příkon ve wattech, Φ je světelný tok, popisující množství vyzařovaného světla v lumenech,
η je měrný výkon popisující míru využití elektrické energie při výrobě světla v lumenech na watt

 

Graf nahoře:
Prognóza vývoje měrného výkonu LED (LED Technical Committee and the Department of Energy, 2008)
Cool white LED (chladně bílá LED) - Tc = 4 100 - 6 500 K; Ra = 70 - 80;
Warm white LED (teple bílá LED) - Tc = 2 800 - 3 500 K; Ra > 85;
Odhad růstu měrného výkonu je pro samostatnou LED - čip 1mm2, Ta = 25°C, If = 350 mA